FDD13AN06A0, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 9.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.5 мОм |
| Мощность макс.: | 115Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 1350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.43 г. |
| Наименование: | FDD13AN06A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 9.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDD13AN06A0, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.