IPT020N10N3ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 300 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 300A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 156нКл |
| Входная емкость: | 11200пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPT020N10N3ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт. |
| Корпус: | PG-HSOF-8-1 |
Описание
IPT020N10N3ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 300 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 300A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.