IPB029N06N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IPB029N06N3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Компонент IPB029N06N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Производитель: Infineon Technologies
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 120A
- Вес брутто: 1.2 г.
- Корпус: D2PAK/TO263
- Наименование: IPB029N06N3GATMA1