IPD65R660CFDATMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 660 мОм |
| Мощность макс.: | 62.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 615пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IPD65R660CFDATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент IPD65R660CFDATMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 62.5Вт
- Наименование: IPD65R660CFDATMA1
- Напряжение исток-сток макс.: 650В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Особенности: Automotive
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В