FDP3632, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 12A(Ta),80A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм @ 80А, 10В |
| Мощность макс.: | 310Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 110нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 6000пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP3632 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Техническое описание: FDP3632, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Мощность макс.: 310Вт
- Наименование: FDP3632
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 50 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
- Особенности: Standard
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
- Производитель: ON Semiconductor