IPB027N10N3GE8187ATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 120A 2.7Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | IPB027N10N3GE8187ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N Channel 100V 120A 2.7Ohm |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Компонент IPB027N10N3GE8187ATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 120A 2.7Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Наименование: IPB027N10N3GE8187ATMA1 Производитель: Infineon Technologies Описание Eng: N Channel 100V 120A 2.7Ohm Нормоупаковка: 1000 шт.
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.