SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 8В |
| Ток стока макс.: | 5.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 960пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | SI2305CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.