IPD50P04P413ATMA1, Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 12.6 мОм |
| Мощность макс.: | 58Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 51нКл |
| Входная емкость: | 3670пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD50P04P413ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD50P04P413ATMA1, Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.