• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

FDB050AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:18A
Сопротивление открытого канала:5 мОм
Мощность макс.:245Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:80нКл
Входная емкость:3900пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2PAK/TO263
Наименование:FDB050AN06A0
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт.

Описание

FDB050AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.:

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.