FDB52N20TM, Транзистор полевой N-канальный 200В 52A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 52A |
| Сопротивление открытого канала: | 49 мОм |
| Мощность макс.: | 357Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 2900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB52N20TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB52N20TM, Транзистор полевой N-канальный 200В 52A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: FDB52N20TM
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Нормоупаковка: 800 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 49 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount