Представляем вашему вниманию сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство (FRAM) FM31256-GTR от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает уникальными характеристиками, которые делают его незаменимым в широком спектре электронных устройств.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) – это новое поколение энергонезависимой памяти, сочетающее в себе преимущества традиционной SRAM и EEPROM. Благодаря сегнетоэлектрической технологии, FM31256-GTR отличается высокой скоростью записи/чтения, низким энергопотреблением и практически неограниченным ресурсом циклов перезаписи.

• Объём памяти: 256 Кбит (32 Кбайт)
• Напряжение питания: 3,3 В / 5 В
• Тип интерфейса: параллельный
• Корпус: SO14
• Тип упаковки: лента на катушке (Tape and Reel)
• Нормоупаковка: 2500 шт.

Благодаря своим уникальным характеристикам, FM31256-GTR находит широкое применение в самых разных областях электроники. Этот компонент идеально подходит для использования в промышленных контроллерах, медицинском оборудовании, автомобильной электронике, системах сбора данных, а также в любых других устройствах, где требуется надёжное хранение данных при отключении питания.