FCA20N60_F109, Транзистор полевой N-канальный 600В 20A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм |
| Мощность макс.: | 208Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 98нКл |
| Входная емкость: | 3080пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FCA20N60_F109 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
Компонент FCA20N60_F109, Транзистор полевой N-канальный 600В 20A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Заряд затвора: 98нКл
- Корпус: TO-3P
- Мощность макс.: 208Вт
- Наименование: FCA20N60_F109
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Нормоупаковка: 450 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В