IPD80R2K8CEATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1.9А |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD80R2K8CEATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент IPD80R2K8CEATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.9А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPD80R2K8CEATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.