DMN3010LK3-13, Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13.1A(Ta),43A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 9.5 мОм @ 18А, 10В |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 37нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 2075пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.793 г. |
| Наименование: | DMN3010LK3-13 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент DMN3010LK3-13, Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.1A(Ta),43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.