BS108ZL1G, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 250мА |
| Сопротивление открытого канала: | 8 Ом |
| Мощность макс.: | 350мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Входная емкость: | 150пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO92/formed lead |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | BS108ZL1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-VMOS 200V 0,25A 0,35W 8 Ом |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
BS108ZL1G, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.