SI4126DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 39 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 39A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.75 мОм |
| Мощность макс.: | 7.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 105нКл |
| Входная емкость: | 4405пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4126DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4126DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 39 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.