IRFBE20PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 Ом |
| Мощность макс.: | 54Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 530пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.68 г. |
| Наименование: | IRFBE20PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFBE20PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.