BUK965R8-100E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 5.8 мОм @ 25А, 5В |
| Мощность макс.: | 357Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 133нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 17460пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.69 г. |
| Наименование: | BUK965R8-100E,118 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 200 шт |
Описание
Компонент BUK965R8-100E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A (NEXPERIA), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 17460пФ @ 25В
- Заряд затвора: 133нКл @ 5В
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Мощность макс.: 357Вт
- Наименование: BUK965R8-100E,118
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 200 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK