BUK964R7-80E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 324Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 92.1нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 15340пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | BUK964R7-80E,118 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Техническое описание: BUK964R7-80E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A. Категория: электронные компоненты. Производитель: NEXPERIA.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 800 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
- Производитель: NEXPERIA
- Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 25А, 10В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал