IRFI630GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 5.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 400 мОм |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 43нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IRFI630GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFI630GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.