NDF06N60ZG, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 7.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 47нКл |
| Входная емкость: | 1107пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | NDF06N60ZG |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
NDF06N60ZG, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.