BUK763R8-80E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 3.8 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 357Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 169нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 12030пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | BUK763R8-80E,118 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
BUK763R8-80E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: NEXPERIA. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.