FDN5630, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 1.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | FDN5630 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент FDN5630, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.