BSP220,115, Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 225мА |
| Сопротивление открытого канала: | 12 Ом |
| Мощность макс.: | 1.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Входная емкость: | 90пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSP220,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
BSP220,115, Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.