FCH25N60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 25A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 25A |
| Сопротивление открытого канала: | 126 мОм |
| Мощность макс.: | 216Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 3352пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | FCH25N60N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 300 шт. |
Описание
FCH25N60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 25A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 126 мОм Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.