FCA16N60N, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 199 мОм |
| Мощность макс.: | 134.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 52.3нКл |
| Входная емкость: | 2170пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Наименование: | FCA16N60N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V TO-3PN |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
FCA16N60N, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.