FDP050AN06A0, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 5 мОм |
| Мощность макс.: | 245Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 80нКл |
| Входная емкость: | 3900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.92 г. |
| Наименование: | FDP050AN06A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент FDP050AN06A0, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.