FDA70N20, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 70A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 417Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 86нКл |
| Входная емкость: | 3970пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FDA70N20 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
FDA70N20, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.