FCD600N60Z, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 7.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 1120пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FCD600N60Z |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FCD600N60Z, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 600 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 7.4A
- Входная емкость: 1120пФ
- Заряд затвора: 26нКл