IRL640STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.21 г. |
| Наименование: | IRL640STRLPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
IRL640STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.