IRFDC20PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 320мА |
| Сопротивление открытого канала: | 4.4 Ом |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRFDC20PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
IRFDC20PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.