Представляем вашему вниманию мощный полевой MOSFET транзистор N-канальный IPT007N06NATMA1 от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент разработан специально для применения в современных электронных устройствах, требующих надежного и эффективного управления мощными токовыми нагрузками.

Транзистор IPT007N06NATMA1 отличается высокими рабочими характеристиками и широкими возможностями применения. Он обеспечивает надежную коммутацию нагрузок с максимальным током до 300 ампер при напряжении до 60 вольт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 0,75 мОм, этот транзистор демонстрирует высокую энергоэффективность и минимальные потери мощности.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 300A(Tc)
• Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм @ 150А, 10В
• Мощность макс.: 375Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 280 µA
• Заряд затвора: 216нКл @ 10В
• Входная емкость: 16000пФ @ 30В
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.93 г.
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 200 шт
• Корпус: HSOF8

Транзистор IPT007N06NATMA1 идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых схемах, преобразователях постоянного тока, инверторах, источниках питания, системах управления двигателями и другом промышленном оборудовании. Его высокая производительность, надежность и компактные габариты делают этот компонент незаменимым выбором для современных электронных разработок.