IPD65R600C6BTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 63Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD65R600C6BTMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент IPD65R600C6BTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252 - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.