IRFD224PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 630мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.1 Ом |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 260пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Наименование: | IRFD224PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
Компонент IRFD224PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.