SI4090DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19.7 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 19.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм |
| Мощность макс.: | 7.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.3В |
| Заряд затвора: | 69нКл |
| Входная емкость: | 2410пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4090DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4090DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19.7 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.