IPP220N25NFDAKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 61A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 61A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм @ 61А, 10В |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 270 µA |
| Заряд затвора: | 86нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 7076пФ @ 125В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220-3 |
| Вес брутто: | 2.91 г. |
| Наименование: | IPP220N25NFDAKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 61A TO220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала от ведущего производителя Infineon Technologies. Модель IPP220N25NFDAKSA1 отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в современной электронике.
Этот транзистор обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом для различных схем и устройств. Ознакомьтесь с основными особенностями данной модели:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В
- Ток стока макс.: 61A(Tc)
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 61А, 10В
- Мощность макс.: 300Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 270 µA
- Заряд затвора: 86нКл @ 10В
- Входная емкость: 7076пФ @ 125В
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-3
- Вес брутто: 2.91 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 250V 61A TO220
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IPP220N25NFDAKSA1 идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая источники питания, преобразователи, усилители мощности, системы управления двигателями и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных схем.