FQT1N60CTF_WS, Транзистор полевой N-канальный 600В 200мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 200мА |
| Сопротивление открытого канала: | 11.5 Ом |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 6.2нКл |
| Входная емкость: | 170пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FQT1N60CTF_WS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
FQT1N60CTF_WS, Транзистор полевой N-канальный 600В 200мА - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.