CSD16322Q5, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 5 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.4В |
| Заряд затвора: | 9.7нКл |
| Входная емкость: | 1365пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SON8 |
| Наименование: | CSD16322Q5 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
CSD16322Q5, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Texas Instruments. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.