IRLI640GPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 9.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IRLI640GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRLI640GPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.