SI7430DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 26A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 26A |
| Сопротивление открытого канала: | 45 мОм |
| Мощность макс.: | 64Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 43нКл |
| Входная емкость: | 1735пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7430DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7430DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 26A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 64Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.