IRFS630B, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | IRFS630B |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 5.9 A, 35 W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
| Корпус: | TO-220F |
Описание
IRFS630B, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Наименование: IRFS630B Производитель: ON Semiconductor Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 5.9 A, 35 W Тип упаковки: Tube (туба) Нормоупаковка: 50 шт. Корпус: TO-220F
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.