SI2366DS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5.8A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 36 мОм @ 4.5А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 10нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 335пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | SI2366DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI2366DS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.