FDS3580, Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 7.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 29 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | FDS3580 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 80V 7.6A 2.5W |
| Тип упаковки: | Туба/Лента |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS3580, Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.