FQPF8N60CFT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 6.26A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.5 Ом |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 1255пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.02 г. |
| Наименование: | FQPF8N60CFT |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQPF8N60CFT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.26A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.