SI4477DY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 26.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.2 мОм |
| Мощность макс.: | 6.6Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 190нКл |
| Входная емкость: | 4600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4477DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4477DY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26.6A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 6.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.