SI3442BDV-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 57 мОм |
| Мощность макс.: | 860мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.8В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 295пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3442BDV-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI3442BDV-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 3A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.