• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

FDP020N06B_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:120A
Сопротивление открытого канала:2 мОм
Мощность макс.:333Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:268нКл
Входная емкость:20930пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220
Наименование:FDP020N06B_F102
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт.

Описание

FDP020N06B_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.