PHK04P02T,518, Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 16В |
| Ток стока макс.: | 4.66A |
| Сопротивление открытого канала: | 120 мОм |
| Мощность макс.: | 5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 600mВ |
| Заряд затвора: | 7.2нКл |
| Входная емкость: | 528пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | PHK04P02T,518 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
PHK04P02T,518, Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 16В Ток стока макс.: 4.66A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.