FDN359AN, Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 46 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 7нКл |
| Входная емкость: | 480пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.02 г. |
| Наименование: | FDN359AN |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDN359AN, Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.