FQB50N06TM, Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 3.75Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 1540пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FQB50N06TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FQB50N06TM, Транзистор полевой N-канальный 60В 50A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.